Especificações
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 4 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 4 V
Corrente do coletor DC máximo: 0,1 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 125 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MPSA20
Tecnologia: Si
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: 0,45 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 40
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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