Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 300 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 300 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 50 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,19 mm
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínua: - 0,5 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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