Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 4 V
Corrente do coletor DC máxima: 200 mA
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 60 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Granel
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 200 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
hFE máx. de ganho de corrente DC: 250
Altura: 4,7 mm
Comprimento: 4,7 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 3,93 mm
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