Detalhes do Produto
Transistor NDP603AL
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 25 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 22 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 80 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 70 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 25 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 22 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 80 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 70 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
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Especificações Técnicas
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