Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 11.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 470 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Qg - Carga na porta: 40 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 120 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: QFET
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FQP12P20
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 6,4 S
Tempo de queda: 60 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 195 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 40 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 20 ns
Analise do número da peça: FQP12P20
Compartilhe: