Detalhes do Produto
Transistor P18N50 = FDPF18N50 TO-220
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 18 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 265 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 60 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 38,5 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Série: FDP18N50
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Power MOSFET
Largura: 4,7 mm
Marca: onsemi / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 25 S
Tempo de queda: 90 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 165 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 95 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 55 ns
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