Detalhes do Produto
Transistor P18NM80 = STP18NM80
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 17 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 295 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 190 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: MDmesh
Configuração: Single
Série: STP18NM80
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 50 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 28 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 96 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 17 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 295 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 190 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: MDmesh
Configuração: Single
Série: STP18NM80
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 50 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 28 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 96 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
|---|
Compartilhe: