Detalhes do Produto
Transistor P29N15E = MTP29N15E
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 29 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 70 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Transcondutância em avanço - Mín: 20 S
Tempo de queda: 85 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 95 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 19 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 29 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 70 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Transcondutância em avanço - Mín: 20 S
Tempo de queda: 85 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 95 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 19 ns
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Especificações Técnicas
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