Detalhes do Produto
Transistor P30P06V = MTP30P06V Motorola
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 30 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 15 V, + 15 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Transcondutância em avanço - Mín: 7.9 S
Tempo de queda: 52,4 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25,9 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 98 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14,7 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 30 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 15 V, + 15 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Transcondutância em avanço - Mín: 7.9 S
Tempo de queda: 52,4 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25,9 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 98 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14,7 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Motorola |
|---|
Compartilhe: