Detalhes do Produto
Transistor P36N30P = IXTA36N30P IXYS
Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 36 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 110 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 4,5 mm
Comprimento: 9,9 mm
Série: IXTA36N30
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 9,2 mm
Marca: IXYS
Tempo de queda: 28 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 97 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 24 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 36 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 110 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 4,5 mm
Comprimento: 9,9 mm
Série: IXTA36N30
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 9,2 mm
Marca: IXYS
Tempo de queda: 28 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 97 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 24 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
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