Detalhes do Produto
Transistor P50NB20 = STW50NB20
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 50 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 55 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 280 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Série: STW50N
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 27 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 65 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo típico de ativação / retardo: 35 ns
Para mais informações entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 50 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 55 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 280 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Série: STW50N
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 27 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 65 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo típico de ativação / retardo: 35 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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