Detalhes do Produto
Transistor P80NF10
STP80NF10 Mosfet Canal N 100 Volts 80 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 135 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: StripFET
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 60 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 50 S
Altura: 9,15 milímetros
Distancia: 10,4 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Série: STP80NF10
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo do desligamento típico: 116 ns
Tempo típico de 26 ns
Largura: 4,6 mm
Para mais informações, entre em contato.
STP80NF10 Mosfet Canal N 100 Volts 80 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 135 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: StripFET
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 60 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 50 S
Altura: 9,15 milímetros
Distancia: 10,4 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Série: STP80NF10
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo do desligamento típico: 116 ns
Tempo típico de 26 ns
Largura: 4,6 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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