Detalhes do Produto
Transistor P8NK80ZFP Isolado St
MOSFET
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 46 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: SuperMESH
Configuração: Single
Altura: 9,3 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP8NK80ZFP
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 5,2 S
Tempo de queda: 28 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 48 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Para mais informações, entre em contato.
MOSFET
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 46 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: SuperMESH
Configuração: Single
Altura: 9,3 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP8NK80ZFP
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 5,2 S
Tempo de queda: 28 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 30 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 48 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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