Detalhes do Produto
Transistor PD55003-E
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
Polaridade do transistor: N-Channel
Tecnologia: Si
Id - Corrente de drenagem contínua: 2,5 A
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Frequência operacional: 1 GHz
Ganho: 17 dB
Potência de saída: 3 W
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerSO-10RF-Formed-4
Marca: STMicroelectronics
Modo de canal: Aprimoramento
Configuração: Solteiro
Transcondutância em avanço - Mín: 1 S
Altura: 3,5 mm
Comprimento: 7,5 mm
Sensível à concentração: Sim
Pd - Dissipação de potência: 31,7 W
Tipo de Produto: Transistores RF MOSFET
Série: PD55003-E
Subcategoria: MOSFETs
Tipo: MOSFET de potência de RF
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V
Largura: 9,4 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores RF MOSFET
Polaridade do transistor: N-Channel
Tecnologia: Si
Id - Corrente de drenagem contínua: 2,5 A
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Frequência operacional: 1 GHz
Ganho: 17 dB
Potência de saída: 3 W
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: PowerSO-10RF-Formed-4
Marca: STMicroelectronics
Modo de canal: Aprimoramento
Configuração: Solteiro
Transcondutância em avanço - Mín: 1 S
Altura: 3,5 mm
Comprimento: 7,5 mm
Sensível à concentração: Sim
Pd - Dissipação de potência: 31,7 W
Tipo de Produto: Transistores RF MOSFET
Série: PD55003-E
Subcategoria: MOSFETs
Tipo: MOSFET de potência de RF
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V
Largura: 9,4 mm
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Especificações Técnicas
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