Detalhes do Produto
Transistor R8008ANX
Mosfet 10V Drive Canal N
Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,03 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Qg - Carga na porta: 39 nC
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Embalagem: Bulk
Configuração: Sozinho
Série: R8008ANX
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: ROHM Semiconductor
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 50 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 85 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 32 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 10V Drive Canal N
Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,03 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Qg - Carga na porta: 39 nC
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Embalagem: Bulk
Configuração: Sozinho
Série: R8008ANX
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: ROHM Semiconductor
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 50 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 85 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 32 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
Compartilhe: