Detalhes do Produto
Transistor RJP63F3A
Número da peça: RJP63F3A
RJP63F3A - 630V 40A Canal N IGBT - Renesas
Função: 630V 40A Canal N IGBT
Pacote: Tipo TO-220FL
Descrição:
Canal N Silicon
Comutação de energia de alta velocidade IGBT
Características:
• Trench gate e tecnologia de wafer fino (série G6H)
• Baixa tensão de saturação de coletor para emissor VCE (sat) = 1,7 V típico
• Comutação de alta velocidade tf = 100 ns típico
• Baixa corrente de fuga ICES = 1 μA máx
• Pacote isolado TO -220FL
Para mais informações, entre em contato.
Número da peça: RJP63F3A
RJP63F3A - 630V 40A Canal N IGBT - Renesas
Função: 630V 40A Canal N IGBT
Pacote: Tipo TO-220FL
Descrição:
Canal N Silicon
Comutação de energia de alta velocidade IGBT
Características:
• Trench gate e tecnologia de wafer fino (série G6H)
• Baixa tensão de saturação de coletor para emissor VCE (sat) = 1,7 V típico
• Comutação de alta velocidade tf = 100 ns típico
• Baixa corrente de fuga ICES = 1 μA máx
• Pacote isolado TO -220FL
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Especificações Técnicas
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