Especificações:
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 33 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 16,07 mm
Comprimento: 10,36 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 3,7 S
Tempo de queda: 17 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 41 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
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