Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote / Estojo: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de dreno: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5.2A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 90 mOhms
Vgs - Tensão Porta-Fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs ª - Tensão Limiar Porta-Fonte: 2 V
Qg - Taxa de Portão: 88 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 150ºC
Pd - Dissipação de Potência: 5,4 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: TrincheiraFET
Embalagem: Carretel
Marca: Semicondutores Vishay
Configuração: solteiro
Tempo de outono: 64 ns
Transcondutância direta - Mín.: 19 S
Altura: 1,04 milímetros
Tamanho: 6,15 milímetros
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 46 ns
Série: SI7
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal P
Tempo de Atraso de Desligamento Típico: 115 ns
Tempo de atraso de atrasos: 25
Largura: 5,15 milímetros
Parte Analises: SI7439DP-E3
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