Detalhes do Produto
Transistor SI7884BDP Smd
MOSFET 40V 58A 46W
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 58 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 7,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 51 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 46 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 1,04 mm
Comprimento: 6,15 mm
Série: SI7
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,15 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 55 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 10 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 32 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Aliases de núm de peça: SI7884BDP-GE3
Para mais informações, entre em contato.
MOSFET 40V 58A 46W
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: PowerPAK-SO-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 58 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 7,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 51 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 46 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 1,04 mm
Comprimento: 6,15 mm
Série: SI7
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,15 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 55 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 10 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 32 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Aliases de núm de peça: SI7884BDP-GE3
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Vishay |
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