Detalhes do Produto
Transistor SPW20N60C3 = 20N60C3
SPW20N60C3 Mosfet Canal N 650 Volts 20.7 Amperes TO247-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20,7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 190 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,1 V
Qg - Carga na porta: 87 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 208 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 4,5 ns
Altura: 21,1 milímetros
Diâmetro: 16,13 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 5 ns
Série: CoolMOS C3
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 67 ns
Tempo típico de alteração/retardo : ns
Largura: 5,21 mm
Analise do número da peça: SPW2N6C3XK - SPW20N60C3FKSA1
Para mais informações, entre em contato.
SPW20N60C3 Mosfet Canal N 650 Volts 20.7 Amperes TO247-3
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20,7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 190 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,1 V
Qg - Carga na porta: 87 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 208 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: CoolMOS
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 4,5 ns
Altura: 21,1 milímetros
Diâmetro: 16,13 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 5 ns
Série: CoolMOS C3
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 67 ns
Tempo típico de alteração/retardo : ns
Largura: 5,21 mm
Analise do número da peça: SPW2N6C3XK - SPW20N60C3FKSA1
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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