Detalhes do Produto
Transistor STD5NM50T4 To-252-3
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 7.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 100 W
Modo de canal: realce
Qualificação: AEC-Q101
Configuração: Single
Altura: 2,4 mm
Comprimento: 6,6 mm
Série: STD5NM50T4
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 6,2 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 3,5 S
Tempo de queda: 6 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 7.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 100 W
Modo de canal: realce
Qualificação: AEC-Q101
Configuração: Single
Altura: 2,4 mm
Comprimento: 6,6 mm
Série: STD5NM50T4
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 6,2 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 3,5 S
Tempo de queda: 6 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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