Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Orifício
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Número de canais: 1 Canal
Polaridade do transistor: Canal N
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 18 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 190 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 25 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Configuração: Solteiro
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Altura: 9.3 mm
Comprimento: 10.4 mm
Série: STF12NM50N
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: Power MOSFET
Largura: 4.6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 8 S
Tempo de queda: 14 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 15 ns
Subcategoria: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 15 ns
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