Detalhes do Produto
Transistor STF7N52K3
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 525 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 850 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,5 V
Qg - Carga na porta: 33 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Tubo
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Single
Tempo de queda: 19 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 11 ns
Série: STF7N52K3
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 36 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 13 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 525 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 850 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,5 V
Qg - Carga na porta: 33 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Tubo
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Single
Tempo de queda: 19 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 11 ns
Série: STF7N52K3
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 36 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 13 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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