Transistor STGP10H60DF = GP10H60DF

Compartilhe:

Detalhes do Produto Transistor STGP10H60DF = GP10H60DF

STGP10H60DF

Transistor IGBT Trench gate Série H 600 Volts 10 Amperes HiSpd

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 20 A
Pd - Dissipação de potência: 115 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: STGP10H60DF
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 10 A
Marca: STMicroelectronics
Corrente de dispersão do gate - emissor: 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

Para mais informações, entre em contato.