Detalhes do Produto
Transistor STGW30NC120HD = GW30NC120HD
Transistor IGBT Canal N
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de Produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Embalagem / Caixa: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do orifício
Configuração: solteiro
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 1200 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,75 V
Tensão máxima do emissor da porta: 25 V
Pd - Dissipação de energia: 220 W
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Série: STGW30NC120HD
Embalagem: Vareta
Ic máx. Da corrente do coletor contínuo: 60 A
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Corrente de coletor contínua: 30 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: PowerMESH
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT Canal N
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de Produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Embalagem / Caixa: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do orifício
Configuração: solteiro
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx.: 1200 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,75 V
Tensão máxima do emissor da porta: 25 V
Pd - Dissipação de energia: 220 W
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima da operação: + 150 C
Série: STGW30NC120HD
Embalagem: Vareta
Ic máx. Da corrente do coletor contínuo: 60 A
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Corrente de coletor contínua: 30 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: PowerMESH
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
|---|
Compartilhe: