Detalhes do Produto
Transistor STGW39NC60VD = GW39NC60VD
Transistor IGBT Canal N
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,8 V / 1,7 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: STGW39NC60VD
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 70 A
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Largura: 5,15 mm
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT Canal N
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,8 V / 1,7 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: STGW39NC60VD
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 70 A
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Largura: 5,15 mm
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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