Detalhes do Produto
Transistor STP10NK80ZFP = P10NK80ZFP
Mosfet Canal N 800 Volts 9 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 900 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 72 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: SuperMESH
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 9,3 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP10NK80ZFP
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 9.6 S
Tempo de queda: 17 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 65 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 30 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 800 Volts 9 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 900 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 72 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: SuperMESH
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 9,3 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP10NK80ZFP
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 9.6 S
Tempo de queda: 17 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 65 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 30 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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