Detalhes do Produto
Transistor STP200N3LL
Mosfet LGS LV Mosfet
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 53 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 176,5 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: STP200N3LL
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 108 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 183 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet LGS LV Mosfet
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 53 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 176,5 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: STP200N3LL
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 108 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 183 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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