Detalhes do Produto
Transistor STP20N50S = P20N50S
Mosfet 20A 500V
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Atraves do Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Número de canais: 1 Canal
Polaridade do transistor: Canal N
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 230 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Configuração: Sozinho
Embalagem: Vareta
Altura: 16.3 mm
Comprimento: 10.67 mm
Série:STP20N50P
Tipo de transistor:1 Canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4.7 mm
Transcondutância em avanço - Mín: 24.6 S
Tempo de queda: 105 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 375 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 95 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 20A 500V
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Atraves do Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Número de canais: 1 Canal
Polaridade do transistor: Canal N
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 230 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Configuração: Sozinho
Embalagem: Vareta
Altura: 16.3 mm
Comprimento: 10.67 mm
Série:STP20N50P
Tipo de transistor:1 Canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 4.7 mm
Transcondutância em avanço - Mín: 24.6 S
Tempo de queda: 105 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 375 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 95 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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