Detalhes do Produto
Transistor STP4N20 TO-220
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 60 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP4N20
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 120 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 6 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 105 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 7 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 60 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP4N20
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 120 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 6 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 105 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 7 ns
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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