Detalhes do Produto
Transistor STW25NM50N
Mosfet IGBT
Mosfet Driver Novo e Original ST
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 21,5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 140 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 160 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 22 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 19 S
Altura: 20,15 mm
Largura: 15,75 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 23 ns
Série: STB25NM50N
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 75 ns
Tempo típico de 23 ns
Largura: 5,15 mm
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