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Detalhes do Produto
Transistor TIP29 Sid
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 700 mV
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP29
Embalagem: Granel
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 15
hFE máx. de ganho de corrente DC: 75
Altura: 9,4 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,83 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 700 mV
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP29
Embalagem: Granel
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínuo: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 15
hFE máx. de ganho de corrente DC: 75
Altura: 9,4 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,83 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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