Detalhes do Produto
Transistor TP220N04T = IXTP220N04T2 To-220
Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 40 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 220 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 112 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 360 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Embalagem: Tubo
Configuração: Single
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,66 mm
Série: IXTP220N04
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,83 mm
Marca: IXYS
Tempo de queda: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 21 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 31 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
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