Detalhes do Produto
Transistor VN10KN3-G = VN10K TO-92
Fabricante: Microchip
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de condução contínua: 310 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV
Qg - Carga na porta: -
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Tecnologia de Microchip
Configuração: Único
Transcondutância em avanço - Mínimo: 100 mmho
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,21 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: FET
Largura: 4,19 mm
Para mais informações, entre em contato.
Fabricante: Microchip
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de condução contínua: 310 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV
Qg - Carga na porta: -
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Tecnologia de Microchip
Configuração: Único
Transcondutância em avanço - Mínimo: 100 mmho
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,21 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: FET
Largura: 4,19 mm
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Especificações Técnicas
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