Detalhes do Produto
Transistor VNN1NV04PTR-E
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Drivers de portas
Produto: Drivers MOSFET Gate
Tipo: Lado Baixo
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-223-3
Número de motoristas: 1 motorista
Número de limites: 1 saída
Corrente de saída: 1.7 A
Configuração: Single
Tempo de ascensão: 170 ns
Tempo de queda: 200 ns
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: VNN1NV04P-E
Qualificação: AEC-Q100
Tecnologia: Si
Marca: STMicroelectronics
Desligamento: Sim
Tempo de retardo de desligamento máximo: 1000 ns
Tempo de retardo de acionamento máximo: 200 ns
Sensível à umidade: Sim
Corrente de Alimentação Operativa: 100 uA
Pd - Dissipação de potência: 7 W
Tipo de Produto: Gate Drivers
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 250 mOhms
Subcategoria: PMIC - CIs de gerenciamento de energia
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Drivers de portas
Produto: Drivers MOSFET Gate
Tipo: Lado Baixo
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-223-3
Número de motoristas: 1 motorista
Número de limites: 1 saída
Corrente de saída: 1.7 A
Configuração: Single
Tempo de ascensão: 170 ns
Tempo de queda: 200 ns
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: VNN1NV04P-E
Qualificação: AEC-Q100
Tecnologia: Si
Marca: STMicroelectronics
Desligamento: Sim
Tempo de retardo de desligamento máximo: 1000 ns
Tempo de retardo de acionamento máximo: 200 ns
Sensível à umidade: Sim
Corrente de Alimentação Operativa: 100 uA
Pd - Dissipação de potência: 7 W
Tipo de Produto: Gate Drivers
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 250 mOhms
Subcategoria: PMIC - CIs de gerenciamento de energia
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Especificações Técnicas
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