Detalhes do Produto
Transistor ZTX653
Transistor Bipolar de Junção NPN
Especificações:
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 230 mV
Corrente do coletor DC máxima: 2 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 175 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Série: ZTX653
Embalagem: Plástica
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: 2 A
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção NPN
Especificações:
Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 230 mV
Corrente do coletor DC máxima: 2 A
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 175 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Série: ZTX653
Embalagem: Plástica
Marca: Diodes Incorporated
Tensão do coletor contínua: 2 A
Altura: 4,01 mm
Comprimento: 4,77 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 2,41 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Diodes |
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