Detalhes do Produto
Transistor ZVN2110GTA
Mosfet Canal N 100 Volts
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporados
Categoria de produto: Mosfet
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-223-3
Polaridade do transistor: N-Canal
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 500 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 4 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 800 mV
Qg - Carga na porta:
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: Realce
Configuração: Único
Altura: 1.65 mm
Comprimento: 6.7 mm
Série: ZVN2110
Tipo de transistor: 1 N-Canal
Largura:3.7 mm
Marca: Diodos Incorporados
Transcondutância em avanço - Mín: 250 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 4 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 8 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 4 ns
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